基本信息

姓名：夏建新

性别：男  

民族：汉

政治面貌：群众

籍贯：江西进贤

最高学位：博士  

授予单位：大阪大学  

专业：电子工学

研究方向：半导体功率器件、集成电路工艺

职称：教授

教育与工作经历

1995.10-1999.12：大阪大学 电子工学专业  博士

1984.9-1987.7：西安交通大学 半导体器件专业  硕士

1980.9-1984.7：四川大学  半导体物理专业    本科    

2017.10-至今   电子科技大学中山学院   教授            

1987.7-2017.10   电子科技大学  教授

学术专长及代表性学术成果概况

研究兴趣主要在氮化镓和硅功率电子器件、超大规模集成电路工艺方面。长期从事硅功率MOS器件的研究，参加了包括国家攻关项目、自然科学基金重点项目在内的多个项目的研究工作，完成的科研课题"矩形槽栅功率MOS晶体管"和"高压器件的电阻场板、钝化膜与表面横向变掺杂终端技术"分别获电子部科技进步三等奖。从一九九五年开始，从事超大规模集成电路工艺研究，重点在集成电路可靠性、超浅结形成及其工艺模拟、离子注入缺陷和杂质原子的相互作用等方面。作为项目负责人，承担过国家自然科学基金和军事电子预研基金项目。有多篇论文在J.Appl.Phys.，Jpn.J.Appl.Phys.，The Transactions of IEICE，International Electron Devices Meeting等刊物和国际会议文集上发表。